Samsung lanza sus primeros chips de memoria HBM2E con más rendimiento y el doble de capacidad 1f1r4m
por Antonio Delgado 2Samsungg ha anunciado el lanzamiento de suprimeros detalles en el GTC 2019 y ahora ya son una realidad. 53701c
Con esos 16 GB, la tercera generación de memorias HBM2E, con nombre en clave "Flashbolt" duplica la capacidad de los anteriores módulos de memoria HBM2 de la compañía, que contaban con un máximo de 8 GB por cada chip. También encontramos mejoras de rendimiento gracias al uso de un proceso de fabricación de 10 nanómetros y a la incorporación de 16 Gigabits de memoria DRAM a modo de buffer en cada uno de los chips colocados de manera vertical.
La comunicación entre capas se realiza a través de pequeños microcanales verticales, en concreto, cada chip HBM2E incluye 40.000 de estas conexiones, con unas 5.600 por cada capa.
El rendimiento que pueden alcanzar estos chips de HBM2E alcanza los 4,2 Gbps con un ancho de memoria de 538 GB/s, aunque los primeros modelos funcionan a 3,2 Gbps con 410 GB/s por cada módulo.
La llegada de los primeros chips fabricados en masa se realizará antes de la mitad de este año y convivirá con la segunda generación HMB2 denominada con el nombre en clave "Aquabolt".
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